日本正式开始限制中国23种半导体，对应替代公司如下

(资料图片仅供参考)

1)、光刻机: 分辨率(CD值) 小于45nm设备; (关注: 福晶科技)

2)、 涂胶显影: 用于EUV工艺设备; (关注: 芯源微)

3)、刻蚀设备:各向同性刻蚀材料选择比大于100;各向异性刻蚀电路间隔小于100nm及深宽比大于30，并对静定卡盘、阀体、射频电源等部件核心参数做出严格规范; (关注: 中微公司，北方华创)

4)、薄膜设备: 特定温度、压力、等离子体以及栅极宽度条件下PVD/CVD/ALD/电镀设备铜/钨/钻//组以及金属化合物、成膜层和阻挡层等薄膜沉积工艺; (关注: 北方华创、拓荆科技、微导纳米)

5)、热处理设备: 铜/钻/W等填料金属回流工艺; (关注: 北方华创)

6)、清洗设备:晶片改性后进行干燥工序等部分单片湿法清洗设备; (关注: 盛美上海、北方华创)

7)、检量测设备: EUV工艺制造的掩膜或环料装置， (关注: 中科飞测，精测电子)

8) 、EPI设备: 核心Si/GeSi外延工艺; (关注: 北方华创)

9)、其他材料: EUV用掩膜材料及组件，暂不涉及耗材端;(关注: 路维光电、清溢光电)

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